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从表面结构的观察表明，在更正的电位下膜是致密的、更结实的以及有较小的完好洁净的沉积物所构成。这一机理的缺点是**铅为导电性甚差的物质，离子要跨越这样的膜层需要很大的电压降，即使膜的厚度只有10-100Ao，引起电压降也需要数伏，由此可见仅仅通过固态机理不可能形成较厚的钝化层。
按照溶解--沉淀机理，晶核的形成是在紧靠金属的表面层中，由于达到膜物质（既**铅）的临界浓度而形成晶核。晶核的长大经常按三维方式，晶体长大的物质来源是金属的溶解而形成沉淀。通过沉淀物对金属表面的覆盖作用而使电极钝化。
**铅钝化层的厚度依赖于**铅结构，包括其尺寸，空隙率和孔径。如果**铅晶体成长主要是平行于电极表面进行的，而晶粒小、空隙率低、孔径又小，因此铅的表面就很快地被覆盖，形成的**铅钝化层比较薄。相反，**铅晶体垂直于电极表面成长的速度相对较快，也就会有较大的孔和较高的空隙率，使**铅钝化层变厚。**铅晶体在两个方向上的成长速度之比与**铅的溶解度和铅表面附近的**铅溶液的过饱和度有关，有利于高过饱和度的条件，诸如高电流密度、低温度和**浓度较高，都会促使生成比较薄的**铅钝化层，因而使铅电极的容量降低。
